Samsung Yeni FeFET Texnologiyası ilə Enerjiyə Maksimum Qənaət Edən Yaddaş Həlli Təqdim Edir

Samsung şirkətinin tədqiqatçıları, hazırda geniş istifadə edilən NAND fləş yaddaşından daha yüksək saxlama tutumu təklif edən və eyni zamanda demək olar ki, heç bir enerji sərf etməyən yeni bir ferroelektrik tranzistor (FeFET) əsaslı yaddaş texnologiyasının inkişafını elan etdilər. Bu inqilabi texnologiya, massiv strukturlarda işləyən ənənəvi NAND yaddaşı ilə müqayisədə 96%-ə qədər potensial enerji qənaəti vəd edir. Məlumat mərkəzli hesablama və süni intellekt texnologiyaları sürətlə yayılır, bu da yüksək tutumlu və az güc sərf edən yaddaş ehtiyacını kəskin şəkildə artırır. Samsung-un bu yeni inkişafı, enerji səmərəliliyinin kritik olduğu sahələrdə sənaye standartlarını yenidən müəyyənləşdirə bilər.

Mövcud NAND fləş yaddaşları array arxitekturasına görə yüksək enerji istehlakı ilə bağlı problemlər yaradır; burada çoxsaylı hüceyrələr kaskad şəkildə bir-birinə bağlıdır. Bir hüceyrədən məlumat oxumaq üçün həm önündəki, həm də arxasındakı hüceyrələrə mütləq gərginlik tətbiq edilməlidir. “Gate gərginliyi” adlanan bu hadisə, hüceyrələrin sayı çoxaldıqca enerji sərfiyyatının da artmasına gətirib çıxarır. Bundan əlavə, gate gərginliyi azaldıldığı zaman, hüceyrələr arasındakı siqnal fərqi daralır, bu da bir hüceyrədə çoxsəviyyəli məlumat saxlamağı çətinləşdirir. Bu cür struktur məhdudiyyətlər indiki böyük həcmli data mühitlərinin tələblərinə tam cavab verməkdə çətinliklər yaradır.

Bu struktur məhdudiyyətlərini aradan qaldırmaq üçün Samsung-un tədqiqatçıları ferroelektrik materiallardan istifadə edərək yeni FeFET əsaslı yaddaş dizayn etmişlər. Ferroelektrik materiallar, xaricdən tətbiq olunan gərginliklə polyarizasiya istiqamətini dəyişə bilir və bu vəziyyəti gərginlik kəsildikdən sonra da uzun müddət saxlaya bilir. Tədqiqat qrupu xüsusi olaraq zirkoniumla aşqarlanmış hafnium ferroelektriki və oksid yarımkeçirici kanalını birləşdirərək yeni FeFET-i yaratdı. Bu yeni FeFET-dən istifadə edən yaddaş, keçid gərginliyi demək olar ki, sıfıra endirilsə belə, hər hüceyrədə sabit şəkildə 5 bitə qədər məlumat saxlaya bilir. Tədqiqatçılar bu performansın hazırda bazarda olan kommersiya NAND həlləri ilə ya bərabər, ya da onlardan üstün olduğunu bildirirlər.

Demək olar ki, heç bir enerji sərf etmədən daha çox məlumat saxlamağa imkan verən bu FeFET texnologiyası, enerjiyə qənaətin böyük əhəmiyyət kəsb etdiyi süni intellekt serverləri, mobil cihazlar və kənar (edge) hesablama kimi tətbiqlər üçün həyati əhəmiyyət daşıyır. Komanda nümayiş etdirdi ki, inkişaf etdirdikləri FeFET, mövcud NAND texnologiyalarına oxşar şəkildə, şaquli yığılmış üç ölçülü strukturlara uğurla tətbiq edilə bilər. Hətta 25 nm kimi olduqca kiçik kanal uzunluqlu hüceyrələrdə belə sabit işləməsi, yüksək sıxlıqlı yaddaş istehsalının qarşısında hər hansı ciddi maneə olmadığını göstərir. Bu inkişaf, Samsung-un gələcək yüksək performanslı yaddaş bazarında liderliyini gücləndirməsinə kömək edəcək.